Transistor de FM RD06HVF1 RD06 HVF1 7W para transmissor de FM CZE CZH

Transistor de FM RD06HVF1 é um Mosfet, 7 watt de potência na frequencia de 175 MHz e trabalha com 12,5V. Fabricado pela Mitsubishi, é novo e original e é utilizado em diversos transmissores de FM de 7W, como CZE 7C CZH entre outros.

Transistor de FM RD06HVF1 RD06 HVF1 7W para transmissor de FM CZE CZH | C007

Características

• Tipo: Mosfet
• Código: RD06HVF1
• Frequencia MAX. de trabalho: 175Mhz
• Tensão de trabalho: 12,5V
• Potência: 7W

Acompanha

1 x Transistor de FM RD06HVF1

Transistor Mosfet

A palavra “metal” no nome é um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polissilício, mas ainda são chamados de MOSFETs. Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e é chamado respectivamente de NMOS ou PMOS.

Geralmente o semicondutor escolhido é o silício, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, começaram a usar uma mistura de silício e germânio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades elétricas do que o silício, tais como o arsenieto de gálio, não formam bons óxidos nas comportas e portanto não são adequados para os MOSFETs.O IGFET é um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e é quase sinônimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante não óxido.

Simbolo de esquema elétrico de um MOSFET

Existem também modelos de Amplificador operacional baseados na tecnologia FET/MOSFET, muito úteis e com grande utilização na indústria eletrônica.